每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：請問兩個問題:一是貴公司計劃建設(shè)的是六英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線，為什么不是目前業(yè)界比較多的八英寸或者12英寸；二是貴公司在去年的年報中就已經(jīng)披露了三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)，目前到底研發(fā)進度如何，是否和計劃相比，已經(jīng)嚴重滯后，同時在生產(chǎn)上，對未來的三代半導(dǎo)體生產(chǎn)是否有考慮。謝謝

捷捷微電（300623.SZ）12月16日在投資者互動平臺表示，由公司全資子公司捷捷半導(dǎo)體承建的“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項目”是我們的重點項目之一。理論上講芯片的版面越大效率越高，就功率半導(dǎo)體器件而言，要結(jié)合市場份額與產(chǎn)業(yè)趨勢和投資規(guī)模、產(chǎn)業(yè)周期、生產(chǎn)工藝等前置條件與之相匹配。即功率半導(dǎo)體器件需要不同的芯片產(chǎn)線、工藝和封測能力相關(guān)聯(lián)（IDM具備核心競爭力），并對應(yīng)不同的市場細分領(lǐng)域和市場份額。從效率而言，芯片產(chǎn)線版面與市場份額以及效率與邊際等是正相關(guān)的。目前國內(nèi)的晶閘管和部分二極管、防護器件等仍以4寸線為主流（國外5、6寸為主流）；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流；中高端MOSFET、IGBT等以8寸片線為主流，還有部分IGBT需要12寸線支持（國外為主）等。公司MOS系列產(chǎn)品目前采用的是Fabless+封測的運營模式，6英寸與8英寸芯片是流片的。 公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截止至2021年第三季度末，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實用新型專利4件，此外，公司還有3個發(fā)明專利尚在申請受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進過程中，尚未進入量產(chǎn)階段，后續(xù)進展情況請關(guān)注公司公告。

(記者 曾健輝)

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