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            SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品
        
        
        
        
        
          
            
          
          
            2023-08-09 12:51:53
          
        
        

        
        

        
        
        

      
        
      


      
      
        
        

        

        
        
        SK海力士于當(dāng)?shù)貢r間8日，在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉辦的“2023閃存峰會”上，公布了321層1Tb TLC 4D NAND閃存開發(fā)的進展，并展示了現(xiàn)階段開發(fā)的樣品。作為業(yè)界首家公布300層以上NAND具體開發(fā)進展的公司，SK海力士宣布，將進一步完善321層NAND閃存，并計劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。(證券時報·e公司)
        

        


        
      
        
    
        


    
    
        
      
           責(zé)編  姚祥云
      
    
        

    

    
        
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